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J-GLOBAL ID：201203063395790946

窒化物半導体装置

Inventor：
蔵口 雅彦

About 蔵口 雅彦


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (17)： 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010223173
Publication number (International publication number)：2012079888
Application date： Sep. 30, 2010
Publication date： Apr. 19, 2012
Summary：
【課題】窒化物半導体装置において、オン抵抗が小さく、オン電圧が小さく、逆方向リーク電流が小さい窒化物半導体ダイオードを提供する。【解決手段】窒化物半導体1,2上に形成されたカソード電極3、アノード電極4,5を有する窒化物半導体ダイオードにおいて、アノード電極4,5の周辺部に窒化物半導体を掘り込んだリセス構造6を有し、リセス構造内部には、アノード電極5が埋め込まれている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体上に形成されたカソード電極と、アノード電極と、を有する窒化物半導体装置において、前記アノード電極の周辺部に前記窒化物半導体を掘り込んで形成されたリセス構造と、このリセス構造の内部に、前記アノード電極が埋め込み形成されていることを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (8)：
H01L 27/095 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/41
FI (8)：
H01L29/80 E ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 F ,  H01L29/80 L ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L29/44 S
F-Term (22)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 整流器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-289626   Applicant：シャープ株式会社
  • 窒化物半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-335598   Applicant：新日本無線株式会社
  • 窒化物系半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-380321   Applicant：株式会社東芝
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Cited by examiner (2)

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