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J-GLOBAL ID：200903010666996616

整流器

Inventor：
ジョン・トワイナム

About ジョン・トワイナム


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (2)： 山崎 宏 ,  田中 光雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006289626
Publication number (International publication number)：2008108870
Application date： Oct. 25, 2006
Publication date： May. 08, 2008
Summary：
【課題】立ち上がり電圧の低い整流器を提供する。【解決手段】この整流器は、バリア層105とチャネル層103とがへテロ接合部を構成し、チャネル層103とバリア層105の境界の近くに2次元電子ガスチャネル104が生じる。ショットキゲート電極109はアノードオーミック電極107に接続されると共にアノードオーミック電極107上からバリア層105上に延在しバリア層105に形成されたリセス108の全体を覆っている。ショットキゲート電極109の影響によって印加電圧が無い状態でリセス108の直下の2次元電子ガスチャネル104が空乏化される。バリア層105にリセス108が形成されたことで、ゲート電極109の直下の2次元電子ガスチャネル104に電子が発生する閾値電圧が低くなり従来のショットキダイオードよりも立ち上がり電圧を低くできる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成される半導体チャネル層と、 上記半導体チャネル層上に形成されて上記半導体チャネル層とでヘテロ接合部を構成するバリア層と、 上記半導体チャネル層に接続されるアノードオーミック電極と、 上記半導体チャネル層に接続されるカソードオーミック電極と、 上記アノードオーミック電極に接続されると共に上記へテロ接合部の上に形成されたゲート電極と、 上記バリア層に形成されていると共に上記ゲート電極に全体が覆われたリセスとを備えることを特徴とする整流器。
IPC (2)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (3)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 M
F-Term (14)：
4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104GG03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-136704   Applicant：ローム株式会社
  • 整流素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-332514   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 半導体ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-214193   Applicant：オリジン電気株式会社, 菅原文彦
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