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J-GLOBAL ID：201703019039623715

太陽電池

Inventor： 松岡 隆志 ,  片山 竜二 ,  谷川 智之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (2)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013139463
Publication number (International publication number)：2015015271
Patent number：6164685
Application date： Jul. 03, 2013
Publication date： Jan. 22, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 主表面をC面として形成された窒化物半導体から構成された光吸収層と、 前記光吸収層に接続する第1電極および第2電極と を備え、 前記第1電極および前記第2電極の少なくとも1つは前記光吸収層に接して形成されていることを特徴とする太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/0256 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 31/04 320

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-030916   Applicant：パナソニック株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-049955   Applicant：日本電信電話株式会社
• タンデム太陽電池セルおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-223855   Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (3)

• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-030916   Applicant：パナソニック株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-049955   Applicant：日本電信電話株式会社
• タンデム太陽電池セルおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-223855   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells with Good Open-Circuit Voltage and Concentrator Action
• Improved Conversion Efficiency of GaN/InGaN Thin-Film Solar Cells

Cited by examiner (2)

• InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells with Good Open-Circuit Voltage and Concntrator Action
• Improved Conversion Efficiency of GaN/InGaN Thin-Film Solar Cells