半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011049955
Publication number (International publication number)：2012186410
Application date： Mar. 08, 2011
Publication date： Sep. 27, 2012
Summary：

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。【解決手段】この半導体素子は、n型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がC面方向とされている第1半導体層101と、第1半導体層101とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて第1半導体層101の上に形成された第2半導体層102と、第2半導体層102とは格子定数が異なるn型の窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて第2半導体層102の上に形成された第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第1半導体層と第2半導体層との格子定数の大小関係と、第3半導体層と第2半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

n型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がC面方向とされている第1半導体層と、前記第1半導体層とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて前記第1半導体層の上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層とは格子定数が異なるn型の窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて前記第2半導体層の上に形成された第3半導体層とを少なくとも備え、前記第2半導体層は、臨界膜厚より薄く形成され、前記第1半導体層と前記第2半導体層との格子定数の大小関係と、前記第3半導体層と前記第2半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/32 , G02F 1/025 , H01L 31/04

FI (3)：

H01L33/00 186 , G02F1/025 , H01L31/04 E

F-Term (23)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079DA03 , 2H079DA16 , 2H079DA22 , 2H079DA25 , 2H079EA05 , 2H079EA07 , 5F041AA21 , 5F041CA08 , 5F041CA40 , 5F041CA98 , 5F041CB36 , 5F141AA21 , 5F141CA08 , 5F141CA40 , 5F141CA98 , 5F141CB36 , 5F151AA08 , 5F151CB08 , 5F151CB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

受光装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-196486 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 学校法人トヨタ学園
整流ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-000982 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-328189 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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