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J-GLOBAL ID：201703021102215821
量子ドット型高速フォトダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福田 伸一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013008947
Publication number (International publication number)：2014143224
Patent number：6206834
Application date： Jan. 22, 2013
Publication date： Aug. 07, 2014
Claim (excerpt)：
【請求項1】 基板と、
P型半導体層と、
前記基板に積層されたN型半導体層と、
前記P型半導体層と前記N型半導体層との間に形成された光吸収層と、
前記P型半導体層に接続する第1電極と、
前記N型半導体層に接続する第2電極と、
を備え、
前記第1電極と前記第2電極との間に逆バイアス電圧が印加されているとき、前記光吸収層に光通信信号が入射されると、電流増倍現象が発生して前記逆バイアス電圧の大きさに応じて倍増された電流信号を出力し、
前記光吸収層は、
30[GHz]以上の前記光通信信号に対応する前記電流信号を生じるように、
層厚2〜40[nm]の量子ドット層に、該量子ドット層の層厚方向の高さが2〜10[nm]および前記層厚方向と直交する方向の径が20〜50[nm]である量子ドットを、1平方センチメートル当り1×1010〜1×1011個の密度で含み、
前記量子ドット層を複数積層して、0.1[μm]以上、1[μm]以下の層厚となるように形成した、
ことを特徴とする量子ドット型高速フォトダイオード。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
Article cited by the Patent：
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