半導体素子、及び半導体素子製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (17)：蔵田昌俊 , 高倉成男 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011104945
Publication number (International publication number)：2011238929
Application date： May. 10, 2011
Publication date： Nov. 24, 2011
Summary：

【課題】量子のドット、リング及びワイヤーのような量子構造を含む半導体素子及びそれらの製作方法を提供する。【解決手段】量子ドット211及び複数の層を具備する半導体素子であって、前記複数の層は、第1の層203と、ストレッサー層205と、パターン層207と、を具備し、前記ストレッサー層は前記第1の層の上に覆い被さり、前記パターン層は前記ストレッサー層の上に覆い被さり、前記ストレッサー層は、前記第1の層及び前記パターン層とは実質的に異なる格子定数を有していて、前記層に提供されるピット213を有し、前記量子ドットは前記ピットと並べられた前記パターン層上にある。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

量子構造及び複数の層を具備する半導体素子であって、前記複数の層は、第1の層と、ストレッサー層と、及び、パターン層と、を具備し、前記ストレッサー層は前記第1の層の上に覆い被さり、前記パターン層は前記ストレッサー層の上に覆い被さり、前記ストレッサー層は前記第1の層とは実質的に異なる格子定数を有して、前記素子は、少なくとも前記パターン層に提供されるピットをさらに具備し、前記量子構造は前記ピットで提供される半導体素子。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (7)：

5F173AH03 , 5F173AP05 , 5F173AP09 , 5F173AP33 , 5F173AR01 , 5F173AR99 , 5F173AS10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体量子ドット素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-363281 Applicant：日本電気株式会社
半導体発光素子および半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-317038 Applicant：株式会社東芝
半導体量子ドット素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-304978 Applicant：東京大学長

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