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J-GLOBAL ID：201801002542020203   Update date: Sep. 25, 2024

UENO KOHEI

ウエノ コウヘイ | UENO KOHEI
Affiliation and department：
東京大学生産技術研究所

About 東京大学生産技術研究所


Research field  (3)： Crystal engineering ,  Electric/electronic material engineering ,  Inorganic materials
Research keywords  (9)： パワーデバイス ,  HEMT ,  LED ,  AlN ,  窒化物半導体 ,  結晶成長 ,  GaN ,  Sputtering ,  PLD
Research theme for competitive and other funds  (4)：
  • 2023 - 2026 非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
  • 2022 - 2023 泉科学技術振興財団2022年度研究助成
  • 2022 - 2023 池谷科学技術振興財団 2022年度研究助成
  • 2019 - 2022 Development of fundamental technologies for fabrication of ultra-high voltage aluminum nitride semiconductor devices
Papers (76)：
  • Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno. Characteristics of group III-nitride films prepared by pulsed sputtering. Gallium Nitride Materials and Devices XIX. 2024
  • Yoshihiro Ishitani, Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Daiki Yoshikawa, Hideto Miyake, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides. Gallium Nitride Materials and Devices XIX. 2024
  • Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts. physica status solidi (a). 2024
  • Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Hole Conduction Mechanism in In-Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2024
  • Ryota Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications. Applied Physics Express. 2024. 17. 1. 011006-011006
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MISC (12)：
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Patents (5)：
  • Compound semiconductor and method for manufacturing same
  • LED素子とその製造方法
  • 化合物半導体、コンタクト構造、半導体素子、透明電極、化合物半導体の製造方法及びスパッタガン
  • 窒化物半導体及びその製造方法
  • 半導体装置の製造方法
Lectures and oral presentations  (86)：
  • n++-GaN-uid-GaNマイクロストライプ構造からのLO様フォノン共鳴放射における光反射層導入効果
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • PSD法を用いて赤色LED構造をGB-LED下地層上に成長した GaInN系RGBモノリシックμLEDアレイの作製
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • パルススパッタ堆積法によるグラフェン/4H-SiC基板上の窒化物薄膜成長
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • スパッタ法による高Al組成AlGaNへの高濃度Geドーピング
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • スパッタ法によるAl共添加高濃度n型GaN薄膜の作製と評価
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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Education (4)：
  • 2008 - 2010 東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻 博士課程
  • 2006 - 2008 The University of Tokyo The Graduate School of Engineering Department of Applied Chemistry
  • 2004 - 2006 The University of Tokyo The Faculty of Engineering Department of Applied Chemistry
  • 2002 - 2004 The University of Tokyo College of Arts and Sciences
Professional career (1)：
  • 博士(工学) (東京大学)
Work history (5)：
  • 2017/12 - 現在 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
  • 2014/04 - 2017/12 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
  • 2011/04 - 2014/03 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2010/10 - 2011/03 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2009/04 - 2010/09 日本学術振興会 特別研究員(DC2)
Awards (5)：
  • 2018/11 - 日本結晶成長学会 第47回結晶成長国内会議講演奨励賞 PSD法による高電子移動度n型GaN薄膜成長
  • 2016/08 - 日本結晶成長学会 第23回技術賞 非晶質基板上への窒化物半導体LED作製技術の開発
  • 2013/08 - 10th International Conference on Nitride Semiconductors Best Poster Award
  • 2011/06 - 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
  • 2009 - 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会 発表奨励賞
Association Membership(s) (2)：
JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH ,  THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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