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J-GLOBAL ID:201801002542020203   Update date: Sep. 09, 2020

UENO KOHEI

ウエノ コウヘイ | UENO KOHEI
Affiliation and department:
Research field  (3): Crystal engineering ,  Electric/electronic material engineering ,  Inorganic materials
Research keywords  (5): 窒化物半導体 ,  結晶成長 ,  GaN ,  Sputtering ,  PLD
Research theme for competitive and other funds  (1):
  • 2019 - 2021 窒化アルミニウム系超高耐圧半導体素子作製のための基盤技術開発
Papers (53):
  • Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Coherent epitaxial growth of superconducting NbN ultrathin films on AlN by sputtering. Applied Physics Express. 2020
  • Kohei Ueno, Taiga Fudetani, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Optical characteristics of highly conductive n-type GaN prepared by pulsed sputtering deposition. Scientific Reports. 2019. 9. 20242
  • Masumi Sakamoto, Atsushi Kobayashi, Yoshino K. Fukai, Kohei Ueno, Yuki Tokumoto, Hiroshi Fujioka. Improving the electron mobility of polycrystalline InN grown on glass substrates using AlN crystalline orientation layers. Journal of Applied Physics. 2019. 126. 075701
  • Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Characteristics of unintentionally doped and lightly Si-doped GaN prepared via pulsed sputtering. AIP Advances. 2019. 9. 7. 075123
  • Kyohei Nakamura, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka. AlN/InAlN thin-film transistors fabricated on glass substrates at room temperature. Scientific Reports. 2019. 9. 1. 6254
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MISC (4):
Patents (1):
  • 半導体装置の製造方法
Lectures and oral presentations  (33):
  • Characteristics of GaN Tunnel Junction Contacts for LEDs Prepared by Pulsed Sputtering
    (The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 2019)
  • 高濃度SiドープGaNの深さ方向結晶性の赤外およびラマン分光評価
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2019)
  • スパッタ法により形成したサファイア上SiドープAlNの電気特性
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2019)
  • スパッタリング法により形成した GaN トンネル接合コンタクトの評価
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2019)
  • AlN系バッファー層上に成長した多結晶InNの特性
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2019)
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Education (4):
  • 2008 - 2010 東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻 博士課程
  • 2006 - 2008 The University of Tokyo Department of Applied Chemistry
  • 2004 - 2006 The University of Tokyo Department of Applied Chemistry
  • 2002 - 2004 The University of Tokyo
Professional career (1):
  • 博士(工学) (東京大学)
Work history (5):
  • 2017/12 - 現在 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
  • 2014/04 - 2017/12 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
  • 2011/04 - 2014/03 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2010/10 - 2011/03 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2009/04 - 2010/09 日本学術振興会 特別研究員(DC2)
Awards (4):
  • 2018/11 - 日本結晶成長学会 第47回結晶成長国内会議講演奨励賞 PSD法による高電子移動度n型GaN薄膜成長
  • 2016/08 - 日本結晶成長学会 第23回技術賞 非晶質基板上への窒化物半導体LED作製技術の開発
  • 2013/08 - 10th International Conference on Nitride Semiconductors Best Poster Award
  • 2011/06 - 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
Association Membership(s) (2):
JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH ,  THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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