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J-GLOBAL ID：201802211796569681   Reference number：18A2149231

Preparation of TiSiN films by High Power Pulsed Sputtering Penning discharge

高出力パルススパッタリングPenning放電によるTiSiN膜の作製

Author (2)： YOSHIDA R. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KIMURA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 40th  Page： 155-156  Publication year： 2018 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gas discharge ,  *reactive sputtering ,  thin film growth ,  Penning ionization ,  *titanium compound ,  *silicon compound ,  *nitride ,  silicon ,  Titanium ,  content (quantity) ,  internal stress ,  electrical conductivity ,  plasma density ,  film ,  abrasion resistance ,  corrosion resistance ,  Argon ,  Nitrogen ,  mixed gas ,  *Penning discharge ,  hard coating ,  mechanical property ,  resistance (endure)
Semi thesaurus term： friction drag

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 高出力 ,  パルス ,  スパッタリング ,  Penning放電 ,  作製