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J-GLOBAL ID：201802212668644778   Reference number：18A0910885

Design of steep-slope negative-capacitance FinFETs for dense integration: Importance of appropriate ferroelectric capacitance and short-channel effects

高密度集積化のための急峻な傾斜の負性容量FinFETの設計:適切な強誘電体キャパシタンスと短チャネル効果の重要性

Author (7)： OTA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  HATTORI Junichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ASAI Hidehiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  IKEGAMI Tsutomu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA Koichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIGITA Shinji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 4S  Page： 04FD03.1-04FD03.6  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *LSI ,  *electrostatic capacity ,  *FET ,  *condenser (capacitor) ,  *short channel effect ,  silicon ,  CAD ,  characteristic ,  *negative capacitance ,  drain induced barrier lowering effect
Semi thesaurus term： *high density integrated circuit ,  *negative capacitance ,  *FinFET ,  *ferroelectric capacitor ,  TCAD ,  device characteristic ,  DIBL

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  General  (NC03161C)

Terms in the title (8)： 集積化 ,  負性容量 ,  FinFET ,  設計 ,  強誘電体 ,  キャパシタンス ,  短チャネル効果 ,  重要性