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J-GLOBAL ID：201802218500107758   Reference number：18A1903318

Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE

SAG-HVPEにおけるGaN 3-D微細構造の成長速度論を調整することによる結晶工学【JST・京大機械翻訳】

Author (8)： Avit Geoffrey (Universite Clermont Auvergne, CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, F-63000 Clermont-Ferrand, France. [e-mail]) ,  Zeghouane Mohammed ,  Andre Yamina ,  Castelluci Dominique ,  Gil Evelyne ,  Bae Si-Young ,  Amano Hiroshi ,  Trassoudaine Agnes
Material： CrystEngComm
Volume： 20  Issue： 40  Page： 6207-6213  Publication year： 2018 
JST Material Number： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The growth of GaN 3-D microstr...

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Thesaurus term： parameter ,  substrate (plate) ,  switch ,  *micro structure ,  aluminum nitride ,  *gallium nitride ,  aspect ratio ,  Ammonia ,  passivation ,  prism ,  morphology (form) ,  pyramid ,  polarity ,  Partial Pressure ,  *three dimension ,  modification

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： HVPE ,  GaN ,  微細構造 ,  成長速度論 ,  結晶工学