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J-GLOBAL ID：201802222627589725   Reference number：18A2149232

Properties of TiON Films prepared by Reactive High Power Pulsed Magnetron Sputtering containing O₂ and N₂ gases

反応性高出力パルスマグネトロンスパッタリング法により作製したO₂₀およびN₂を含むTiON膜の特性

Author (2)： TANAKA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KIMURA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 40th  Page： 157-158  Publication year： 2018 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *titanium compound ,  *oxide ,  *nitride ,  *thin film growth ,  *reactive sputtering ,  *magnetron sputtering ,  Oxygen ,  Nitrogen ,  Argon ,  *mixed gas ,  Titanium ,  target ,  *mixture ratio ,  visible light ,  transmissivity ,  growth rate ,  substrate temperature ,  electrical resistivity ,  spectrum ,  optical transmission ,  reactant gas ,  transmission spectrum

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： 反応性 ,  高出力 ,  パルス ,  マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  N2