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J-GLOBAL ID：201802228729291222   Reference number：18A1698601

窒素添加LaB₆界面制御層によるしきい値電圧制御を用いたペンタセンPseudo-CMOSの堆積温度依存性

Author (4)： MAEDA YASUTAKA (東京工大) ,  PARK Kyung Eun (東京工大) ,  KOMATSU YUKI (東京工大) ,  OMI SHUN'ICHIRO (東京工大)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.19p-231C-10  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *fluoride ,  *lanthanum compound ,  *doping ,  control ,  *voltage ,  *complementary metal oxide semiconductor ,  temperature ,  RF sputtering ,  leakage current ,  inverter ,  polyacene
Semi thesaurus term： *lanthanum fluoride ,  *nitrogen doping ,  interface control ,  *threshold voltage ,  growing temperature ,  gate leakage current

JST classification (2)： Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Pentacene

Terms in the title (8)： 窒素添加 ,  界面 ,  制御層 ,  しきい値電圧 ,  ペンタセン ,  CMOS ,  堆積 ,  温度依存性