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J-GLOBAL ID：201802233911796086   Reference number：18A1495148

Fabrication of Ag-Sn-S Thin Films by Sulfurization Method

硫化法によるAg-Sn-S 薄膜の作製

Author (6)： AKITA HAYATO (矢崎部品株式会社) ,  ARAKI HIDEAKI (長岡工業高等専門学校 物質工学科) ,  NAKAMURA SHIGEYUKI (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) ,  SETO SATORU (石川工業高等専門学校 電気工学科) ,  YAMAGUCHI TOSHIYUKI (和歌山工業高等専門学校 電気情報工学科) ,  AKAKI YOJI (都城工業高等専門学校 電気情報工学科)
Material： 都城工業高等専門学校研究報告(Web)
Volume： 52  Page： 16-21(J-STAGE)  Publication year： 2018 
JST Material Number： U1404A  ISSN： 2432-1036  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *silver compound ,  *tin compound ,  sulfide (chalcogenide) ,  *vacuum deposition ,  crystal structure ,  absorption coefficient ,  crystal morphology ,  void (crystal) ,  transmissivity ,  band gap ,  solar cell ,  X-ray diffractometry ,  sulfurization ,  surface quality ,  light transmission
Semi thesaurus term： void

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： 硫化 ,  薄膜 ,  作製