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J-GLOBAL ID：201802242331536981   Reference number：18A0917514

Silicon p-n diode actuators with depletion layer embedded in a beam of cantilever

カンチレバーの梁に埋め込まれた空乏層を持つシリコンp-nダイオードアクチュエータ

Author (4)： NAKAI Yuri (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KANAYA Kazuya (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TANIGAWA Hiroshi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Kenichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 1  Page： 017201.1-017201.9  Publication year： Jan. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *beam (structure) ,  *depletion layer ,  *diode ,  *actuator ,  *PN junction ,  bias ,  displacement (transfer) ,  resonance ,  *temperature dependence ,  frequency (Hz) ,  *temperature coefficient
Semi thesaurus term： *cantilever ,  silicon

JST classification (3)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Piezoelectric devices  (NC03110I) ,  Design,manufacturing,and components of robots  (IC04013A)

Reference (20)：

• K. Hashimoto, K. Ito, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 067201 (2011).
• D. Galayko, A. Kaiser, L. Buchaillot, B. Legrand, D. Collard, and C. Combi, J. Micromech. Microeng. 13, 134 (2003).
• T. Oka, T. Ishino, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 06GH02 (2011).
• T. Okamoto, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 06FL06 (2012).
• D. Weinstein and S. A. Bhave, IEDM Tech. Dig., 2007, p. 415.

Terms in the title (6)： カンチレバー ,  梁 ,  空乏層 ,  シリコン ,  ダイオード ,  アクチュエータ