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J-GLOBAL ID：201802247432460705   Reference number：18A1330592

Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO₂/GaN interface

全光電子収率分光法によるGaN表面とSiO₂/GaN界面における電子状態密度のエネルギー分布

Author (6)： OHTA Akio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NGUYEN Xuan Truyen (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJIMURA Nobuyuki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA Mitsuhisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAKIHARA Katsunori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 6S3  Page： 06KA08.1-06KA08.6  Publication year： Jun. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *surface analysis ,  *gallium nitride ,  surface ,  *silicon dioxide ,  interface (surface) ,  *state density ,  energy distribution ,  atomic force microscope ,  *surface structure ,  band structure ,  capacitance-voltage characteristic ,  *photoemission yield spectroscopy ,  semiconductor surfaces ,  *electronic density of state ,  *topological surface state ,  *structure

JST classification (3)： Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Electron spectroscopy  (BM09060K)

Reference (33)：

• H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7565 (2006).
• W. Saito, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, Solid-State Electron. 48, 1555 (2004).
• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• T. Ueda, M. Ishida, T. Tanaka, and D. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100214 (2014).
• Z. Yatabe, J. T. Asubar, and T. Hashizume, J. Phys. D 49, 393001 (2016).

Terms in the title (6)： 光電子収率分光法 ,  GaN ,  SiO2 ,  界面 ,  電子状態密度 ,  エネルギー分布