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J-GLOBAL ID：201702247625222233   Reference number：17A0633179

Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors

GaNパワートランジスタのための絶縁ゲートと表面不動態化構造

Author (3)： YATABE Zenji (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  ASUBAR Joel T (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 49  Issue： 39  Page： 393001,1-19  Publication year： Oct. 05, 2016 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum compound ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *power transistor ,  *passivation ,  gate dielectric film ,  HEMT ,  MIS structure ,  *interface (surface) ,  thin film condenser ,  carrier capture ,  gallium compound ,  nitride ,  capacitance-voltage characteristic ,  surface level ,  surface passivation ,  interface trap ,  *Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride ,  aluminum gallium nitride ,  *modification
Semi thesaurus term： *AlGaN/GaN ,  *power transistor ,  MIS capacitor ,  AlGaN ,  interface state

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： GaN ,  パワートランジスタ ,  絶縁 ,  ゲート ,  表面不動態化