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J-GLOBAL ID：201402256059341274   Reference number：14A1471195

GaN transistors on Si for switching and high-frequency applications

スイッチングと高周波素子への応用を目指してSi上に構築したGaNトランジスター

Author (5)： UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ISHIDA Masahiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Tsuyoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Daisuke (Panasonic Corp., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 10  Page： 100214.1-100214.8  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *switching element ,  *functional device ,  substrate (plate) ,  silicon ,  *MOCVD ,  semiconductor thin film ,  *artificial superlattice ,  layer ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  *nitride ,  gate (semiconductor) ,  electric current ,  on resistance ,  inverter ,  DC-DC converter ,  power converter ,  *FET ,  interlayer ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： *高周波素子 ,  ゲート注入型トランジスター ,  *aluminium gallium nitride ,  drain current ,  converter ,  field effect transistor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (28)：

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• T. Ueda, T. Murata, S. Nakazawa, H. Ishida, Y. Uemoto, K. Inoue, T. Tanaka, and D. Ueda, Phys. Status Solidi B 247, 1735 (2010).
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Terms in the title (7)： スイッチング ,  高周波 ,  応用 ,  Si ,  構築 ,  GaN ,  トランジスター