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J-GLOBAL ID：201802247965536090   Reference number：18A0629992

様々な情報通信エネルギー技術の動向 新デバイスの動向

Author (1)： YACHI TOSHIAKI (東京理大 工)
Material： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
Volume： 101  Issue： 4  Page： 372-376  Publication year： Apr. 01, 2018 
JST Material Number： F0019A  ISSN： 0913-5693  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *information network ,  information system ,  technological forecasting ,  power electronics ,  switching element ,  MOSFET ,  power transistor ,  silicon carbide ,  gallium nitride ,  technological trend ,  *Energy efficient technologies ,  *saving
Semi thesaurus term： *energy saving ,  *information and communication system ,  switching device ,  power MOSFET ,  silicon carbide

JST classification (2)： Computer networks  (JC03000K) ,  Energy consumption and energy saving  (LD01000B)

Reference (12)：

• 松本寿彰,小倉常雄,小谷和也,田井裕通,竹内宏行,実践パワーエレクトロニクス入門 パワー半導体デバイス,谷内利明(編),オーム社,東京,2016.
• SiCの基礎と応用,荒井和雄,吉田貞史(編),オーム社,東京,2003.
• B.J. Baliga, ′′Power semiconductor device figure of merit for high-frequency applications,′′ IEEE Electron Device Lett., vol. 10, no. 10, pp. 455-457, 1989.
• K. Arai, ′′R & D of SiC semiconductor power devices and strategy towards their practical utilization,′′ Synthesiology, vol. 3, no. 4, pp.245-258, 2011.
• J.W. Palmour, L. Cheng, V. Pala, E.V. Brunt, D.J. Lichtenwalner, G.-Y. Wang, J. Richmond, M. O'Loughlin, S. Ryu, S.T. Allen, and A.A. Burk, ′′Silicon carbide power MOSFETs : Breakthrough performance from 900 V up to 15 KV,′′ Proc. 26th ISPSD, Hawaii, pp. 79-82, 2014.

Terms in the title (3)： 情報通信 ,  エネルギー ,  動向