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J-GLOBAL ID：201802251333382259   Reference number：18A0633321

分極接合基板のAlGaN/GaN界面における界面準位

Author (9)： HOSHII TAKUYA (東京工大) ,  TAKAYAMA RUMI (東京工大) ,  TSURUTA SHUUMA (東京工大) ,  NAKAJIMA AKIRA (産業技術総合研) ,  NISHIZAWA SHIN'ICHI (九大) ,  OHASHI HIROMICHI (東京工大) ,  KAKUSHIMA KUNIYUKI (東京工大) ,  WAKABAYASHI HITOSHI (東京工大) ,  TSUTSUI KAZUO (東京工大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.19p-C302-17  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *heterojunction ,  compound semiconductor ,  *aluminum compound ,  *gallium nitride ,  interface (surface) ,  surface level ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： aluminium gallium nitride

JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (5)： 分極 ,  AlGaN ,  GaN ,  界面 ,  界面準位