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J-GLOBAL ID：201802254586403924   Reference number：18A0695537

ナノポーラスグラフェンにおける弱局在の幾何学的制御

Author (4)： OKAMOTO TAKUYA (東京工大) ,  ITO YOSHIKAZU (筑波大) ,  FUJITA TAKESHI (東北大) ,  KAWANO YUKIO (東京工大)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 73  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.22pB402-6  Publication year： Mar. 23, 2018 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： porosity (property) ,  *graphene ,  Anderson localization ,  porous metal ,  Nickel ,  chemical vapor deposition ,  electrical conductivity ,  pore diameter ,  localized state ,  velocity ,  electron ,  Dirac electron ,  nanoporous
Semi thesaurus term： scattering rate ,  *magnetoconductance ,  *weak localization ,  *多孔質グラフェン ,  antilocalization

JST classification (1)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (2)： 弱局在 ,  幾何学