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J-GLOBAL ID：201802258376364245   Reference number：18A2095939

Pt Nanogap Electrode Fabrication by Two-Layer Lift-Off UV-NIL and Nanowire Breakdown

二層リフトオフUV-NILとナノワイヤ破壊によるPtナノギャップ電極の作製【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Hashiguchi Kyouhei (Department of Technology, Chiba Institute of Technology, Narashino, Japan) ,  Suzuki Kenta (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Hiroshima Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Naitoh Yasuhisa (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Suga Hiroshi (Department of Technology, Chiba Institute of Technology, Narashino, Japan)
Material： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Trans Nanotechnol)
Volume： 17  Issue： 6  Page： 1094-1097  Publication year： 2018 
JST Material Number： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Nanogap electrodes are expecte...

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Thesaurus term： switching ,  *nanowire ,  *Platinum ,  macromolecule ,  voltage ,  nonvolatile memory ,  silicon oxide ,  electrical property ,  nano particle ,  single molecule ,  *bilayer
Semi thesaurus term： *ナノギャップ電極 ,  *リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： 二層 ,  リフトオフ ,  NIL ,  ナノワイヤ ,  破壊 ,  PT ,  ナノギャップ電極 ,  作製