Art

J-GLOBAL ID：201802263703946981   Reference number：18A0917629

Effect of built-in potential on charge carrier mobility evaluated from extraction current transients in poly(3-hexylthiophene) thin film

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)薄膜における抽出電流過渡現象から評価した電荷キャリア移動度に及ぼす組込みポテンシャルの影響

Author (4)： KATAGIRI Chiho (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  KATAGIRI Chiho (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA Ken-ichi (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  NAKAYAMA Ken-ichi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 11  Issue： 1  Page： 011601.1-011601.4  Publication year： Jan. 2018 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *poly(hexylthiophene) ,  *polymer thin film ,  *carrier mobility ,  *space charge limited current ,  *transient phenomenon ,  depletion layer ,  dark current ,  voltage
Semi thesaurus term： charge carrier mobility ,  depleted zone ,  flat band voltage

JST classification (2)： Physical properties of polymer solids  (CG02024U) ,  Electric conduction in organic compounds  (BM03045F)

Substance index (1)： 3-Hexylthiophene

Reference (23)：

• J. J. Jin, W. Z. Zhang, B. Wang, G. Y. Mu, P. Xu, L. Wang, H. Huang, J. S. Chen, and D. G. Ma, Chem. Mater. 26, 2388 (2014).
• J. S. Kim, J. H. Lee, J. H. Park, C. Shim, M. Sim, and K. Cho, Adv. Funct. Mater. 21, 480 (2011).
• A. J. Morfa, A. M. Nardes, S. E. Shaheen, N. Kopidakis, and J. van de Lagemaat, Adv. Funct. Mater. 21, 2580 (2011).
• R. J. Kline, M. D. McGehee, E. N. Kadnikova, J. S. Liu, J. M. J. Frechet, and M. F. Toney, Macromolecules 38, 3312 (2005).
• C. Quinton, M. Suzuki, Y. Kaneshige, Y. Tatenaka, C. Katagiri, Y. Yamaguchi, D. Kuzuhara, N. Aratani, N. Ken-ichi, and H. Yamada, J. Mater. Chem. C 3, 5995 (2015).

Terms in the title (7)： 3-ヘキシルチオフェン ,  薄膜 ,  過渡現象 ,  評価 ,  電荷キャリア移動度 ,  組込み ,  ポテンシャル