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J-GLOBAL ID：201802263747581328   Reference number：18A2202387

Plasma etching process for advanced CMOS and memory device fabrication

先端CMOS/メモリデバイスにおけるプラズマ加工技術の現状と課題

Author (2)： ERIGUCHI KOJI (京大 大学院工学研究科) ,  URABE KEIICHIRO (京大 大学院工学研究科)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 87  Issue： 12  Page： 895-901  Publication year： Dec. 10, 2018 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma arc machining ,  logic circuit ,  *flash memory ,  manufacturing ,  semiconductor process ,  characteristic ,  reliability (property) ,  Technology ,  FET ,  radiation damage ,  NAND flash memory ,  *plasma damage ,  processing technique
Semi thesaurus term： *CMOS logic circuits ,  *FinFET ,  device characteristic ,  *semiconductor device manufacture ,  semiconductor process ,  semiconductor device manufacture

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

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Terms in the title (4)： CMOS ,  メモリデバイス ,  プラズマ加工 ,  現状