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J-GLOBAL ID：201802265342550223   Reference number：18A2235412

In-situ TEM of Nanoscale ReRAM Devices -Operation and Device Microstructure-

ナノスケールReRAMデバイスのIn-situ TEM解析 -ナノプローブによる電気測定と微細構造変化-

Author (3)： ARITA MASASHI (北海道大学大学院情報科学研究科) ,  FUKUCHI ATSUSHI (北海道大学大学院情報科学研究科) ,  TAKAHASHI YASUO (北海道大学大学院情報科学研究科)
Material： 表面と真空  (Vacuum and Surface Science)
Volume： 61  Issue： 12  Page： 766-771(J-STAGE)  Publication year： 2018 
JST Material Number： G0194B  ISSN： 2433-5835  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： scale ,  *RAM ,  in situ observation ,  *transmission electron microscope ,  *microprobe ,  electrical measurement ,  micro structure ,  *filament ,  mechanism ,  *failure analysis ,  *degradation(alteration)
Semi thesaurus term： resistance random access memory ,  nanoscale ,  nano-probe ,  resistance change ,  conductive filament

Author keywords (10)： in-situ TEM ,  real time observation ,  resistive RAM (ReRAM) ,  resistive switching ,  device failure ,  in-situ TEM ,  real time observation ,  resistive RAM (ReRAM) ,  resistive switching ,  device failure

JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Electron and ion microscopes  (BD02050B)

Reference (15)：

• 1) D. Sacchetto, P.-E. Gaillardon, M. Zervas, S. Carrara, G. de Micheli and Y. Leblebici : IEEE Circuits Syst. Mag. 13, 23 (2013).
• 2) R. Waser and M. Aono : Nat. Mater. 6, 833 (2007).
• 3) S. Sills, S. Yasuda, A. Calderoni, C. Cardon, J. Strand, K. Aratani and N. Ramaswamy : Dig. Tech. Sym. VLSI Tech. (2015) T106.
• 4) “International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2011 Edition”, JEITA訳 (電子情報技術産業協会, 東京, 2011) pp. 10-11.
• 5) Y. Yang, Y. Takahashi, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, M. Moors, M. Buckwell, A. Mehonic and A.J. Kenyon : J. Electroceram. 39, 73 (2017).

Terms in the title (7)： ナノスケール ,  ReRAM ,  TEM ,  解析 ,  ナノプローブ ,  電気測定 ,  微細構造