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J-GLOBAL ID：201802268664380840   Reference number：18A0634260

走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂上剥離WSe₂観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性

Author (4)： YAMASUE KOHEI (東北大 電通研) ,  KATO TOSHIAKI (東北大 大学院) ,  KANEKO TOSHIRO (東北大 大学院) ,  CHO YASUO (東北大 電通研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.20p-C202-7  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： nonlinear susceptibility ,  scanning probe microscope ,  silicon dioxide ,  exfoliation ,  *distribution ,  dependence ,  *selenide (chalcogenide) ,  *tungsten compound ,  chalcogenide ,  transition metal compound ,  *semiconductor thin film ,  scanning nonlinear dielectric microscope ,  bias dependence ,  *tungsten selenide ,  transition metal dichalcogenide
Semi thesaurus term： *carrier distribution ,  transition metal dichalcogenide

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： 走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  SiO2 ,  観察 ,  キャリア分布 ,  直流 ,  バイアス依存性