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J-GLOBAL ID：201802271147950243   Reference number：18A0910847

Dependences of deposition rate and OH content on concentration of added trichloroethylene in low-temperature silicon oxide films deposited using silicone oil and ozone gas

シリコーン油とオゾンガスを用いて堆積させた低温酸化ケイ素膜中における添加トリクロロエチレン濃度に対する堆積速度とOH含有量の依存性

Author (2)： HORITA Susumu (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  JAIN Puneet (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 3S1  Page： 03DA02.1-03DA02.7  Publication year： Mar. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicone oil ,  *Ozone ,  *thin film growth ,  *rate of sedimentation ,  *hydroxy group ,  chemical vapor deposition ,  surface structure ,  *silicon oxide ,  *low temperature growth ,  surface morphology ,  structure ,  aliphatic chlorine compound ,  olefin compound
Semi thesaurus term： CVD ,  ozone gas

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Substance index (1)： Trichloroethylene

Terms in the title (9)： シリコーン油 ,  オゾンガス ,  堆積 ,  低温 ,  酸化ケイ素膜 ,  トリクロロエチレン ,  堆積速度 ,  含有量 ,  依存性