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J-GLOBAL ID：201802273356699404   Reference number：18A2012511

Silicon wafer etching by burst-mode high-power ICP with 150kHz frequency band

150kHz帯大電力バーストパルスICPによるシリコンウエハエッチング

Author (7)： SHIBATA KODAI (岩手大) ,  TAKAHASHI KATSUYUKI (岩手大) ,  MUKAIGAWA SEIJI (岩手大) ,  TAKAKI KOICHI (岩手大) ,  YUKIMURA KEN (岩手大) ,  OGISO HISATO (産業技術総合研) ,  NAKANO SHIZUKA (産業技術総合研)
Material： 電気学会研究会資料
Issue： ED-18-122-135/PPP-18-051-064 放電研究会/プラズマ・パルスパワー研究会  Page： 51-56  Publication year： Oct. 26, 2018 
JST Material Number： Z0924B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *inductively coupled plasma ,  plasma ,  *plasma etching ,  *silicon ,  *wafer ,  *pulsed discharge ,  experiment ,  electron temperature ,  plasma density ,  atmosphere(environment) ,  argon ,  machining speed ,  plasma source ,  fron
Semi thesaurus term： *バーストICP ,  high density plasma ,  pulse plasma ,  etch rate

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (1)： Tetrafluoromethane

Terms in the title (4)： 大電力 ,  バースト ,  パルス ,  ICP