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J-GLOBAL ID：201802274442177223   Reference number：18A1698109

中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術のためのリソグラフィプロセスの構築

Author (3)： HIRANO TOMOKI (広大 院 先端研) ,  HANAFUSA HIROAKI (広大 院 先端研) ,  HIGASHI SEIICHIRO (広大 院 先端研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.19a-233-8  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *SOI structure ,  *strut ,  *silicon dioxide ,  *electron beam lithography ,  *photolithography ,  *gap ,  patterning(transcription) ,  semiconductor thin film ,  flexible circuit board
Semi thesaurus term： *SiO2柱 ,  silicon thin film ,  *position gap ,  *photolithography ,  *中空構造SOI ,  *electron beam lithography

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 中空構造 ,  SOI ,  高効率 ,  低温 ,  転写 ,  リソグラフィプロセス ,  構築