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J-GLOBAL ID：201802285556848709   Reference number：18A0982782

プラズマCVDによるグラフェンナノリボンのボトムアップ合成

Author (3)： KATO TOSHIAKI (東北大 大学院工学研究科) ,  KATO TOSHIAKI (JST-さきがけ) ,  KANEKO TOSHIRO (東北大 大学院工学研究科)
Material： プラズマ・核融合学会誌  (Journal of Plasma and Fusion Research)
Volume： 94  Issue： 5  Page： 235-241  Publication year： May. 25, 2018 
JST Material Number： G0114A  ISSN： 0918-7928  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma CVD ,  *nanostructure ,  *ribbon crystal ,  Decision Making ,  band gap ,  semiconductor ,  LSI ,  plasma treatment ,  *Graphene nanoribbon
Semi thesaurus term： bottom up ,  large-scale integration ,  plasma process

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (22)：

• K.S. Novoselov et al., Science 306, 666 (2004).
• K. Nakada et al., Phys. Rev. B 54, 17954 (1996).
• M.Y. Han et al., Phys. Rev. Lett. 98, 206805 (2007).
• X.L. Li et al., Science 319, 1229 (2008).
• L.Y. Jiao et al., Nature 458, 877 (2009).

Terms in the title (3)： プラズマCVD ,  グラフェンナノリボン ,  ボトムアップ