Art

J-GLOBAL ID：201802289249663049   Reference number：18A1700482

Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子

Author (11)： SAKANE SHUN'YA (大阪大 大学院) ,  KASHINO MASATO (大阪大 大学院) ,  WATANABE KENTARO (大阪大 大学院) ,  KAMAKURA YOSHINARI (大阪大 大学院) ,  KAMAKURA YOSHINARI (JST-CREST) ,  MORI NOBUYA (大阪大 大学院) ,  MORI NOBUYA (JST-CREST) ,  FUJITA TAKESHI (JST-CREST) ,  FUJITA TAKESHI (高知工科大) ,  NAKAMURA YOSHIAKI (大阪大 大学院) ,  NAKAMURA YOSHIAKI (JST-CREST)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.21a-438-7  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thermoelectric material ,  *semiconductor material ,  Gold ,  doping ,  Raman spectrum ,  X-Ray Diffraction ,  electron probe microanalysis ,  crystallization
Semi thesaurus term： *SiGe

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (5)： Au ,  SiGe ,  バルク ,  熱電材料 ,  出力因子