Art

J-GLOBAL ID：201802290985628370   Reference number：18A2161648

Reaction mechanisms between chlorine plasma and a spin-on-type polymer mask for high-temperature plasma etching

高温プラズマエッチングのための塩素プラズマとスピンオン型高分子マスクの間の反応機構

Author (7)： ZHANG Yan (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IMAMURA Masato (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TSUTSUMI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKINE Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HORI Masaru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 10  Page： 106502.1-106502.8  Publication year： Oct. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electric material ,  novolak ,  *plasma etching ,  reaction mechanism ,  infrared spectrum ,  Raman spectrum ,  radical ,  carbon material ,  surface roughness ,  etching ,  *mask ,  machining speed ,  *polymer material ,  amorphous carbon
Semi thesaurus term： spin on glass ,  amorphous carbon ,  etch rate

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (38)：

• R. Kometani, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori, Appl. Phys. Express 6, 056201 (2013).
• Z. Liu, J. Pan, T. Kako, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, and M. Hori, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 06GB04 (2015).
• Z. Liu, M. Imamura, A. Asano, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, and M. Hori, Appl. Phys. Express 10, 086502 (2017).
• Z. Liu, A. Asano, M. Imamura, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, and M. Hori, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 096501 (2017).
• Z. Liu, J. Pan, A. Asano, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, and M. Hori, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 026502 (2017).

Terms in the title (6)： 高温プラズマ ,  エッチング ,  塩素 ,  プラズマ ,  高分子 ,  マスク