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J-GLOBAL ID：201803000927397248

共鳴トンネルダイオード素子及び不揮発性メモリ

Inventor： 永瀬 成範 ,  清水 三聡 ,  時崎 高志
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015556817
Patent number：6278419
Application date： Jan. 07, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 複数のバリア層と該バリア層間の井戸層とからなる量子井戸の、前記井戸層と前記バリア層の間のうちのいずれか1つ以上に、前記バリア層よりも低いバンドギャップを有しかつ前記井戸層よりも高いバンドギャップを有する中間層を備え、順バイアスの電圧の印加によりサブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能であり、また逆バイアスの電圧の印加により、前記量子井戸内に蓄積した電子を放出することが可能な量子準位を、前記量子井戸に有することを特徴とする共鳴トンネルダイオード素子。

IPC (9)：

H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/88 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01) ,  H01L 49/00 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01L 29/88 F ,  H01L 29/06 601 W ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 27/105 448 ,  H01L 29/44 L ,  H01L 45/00 A ,  H01L 45/00 Z ,  H01L 49/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 共鳴トンネル障壁構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-365087   Applicant：日本電信電話株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-036652   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• MOVPEを用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製