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J-GLOBAL ID:201803001803341755

化合物半導体熱電材料及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 実広 信哉 ,  渡部 崇
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2017560214
Publication number (International publication number):2018523294
Application date: Jul. 21, 2016
Publication date: Aug. 16, 2018
Summary:
優れたパワーファクター及びZT値を有することで熱電変換性能に優れ、特に低温での熱電変換性能に優れた化合物半導体熱電材料とその製造方法、そしてそれを用いた熱電モジュール、熱電発電装置及び熱電冷却装置などを提供する。本発明による化合物半導体熱電材料は、n型化合物半導体マトリクス、及び前記マトリクス内に分散した前記マトリクスと異種の化合物半導体であって、平均粒径が1μm〜100μmであるn型粒子を含む。
Claim (excerpt):
n型化合物半導体マトリクスと、 前記マトリクス内に分散した前記マトリクスと異種の化合物半導体であって、平均粒径が1μm〜100μmであるn型粒子と、を含む化合物半導体熱電材料。
IPC (5):
H01L 35/26 ,  H01L 35/34 ,  H01L 35/16 ,  B22F 3/14 ,  B22F 1/00
FI (7):
H01L35/26 ,  H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  B22F3/14 101C ,  B22F1/00 C ,  B22F1/00 R ,  B22F1/00 J
F-Term (12):
4K018AA40 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC01 ,  4K018BC12 ,  4K018CA02 ,  4K018DA31 ,  4K018DA32 ,  4K018EA01 ,  4K018EA21 ,  4K018FA01 ,  4K018KA32
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (15)
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