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J-GLOBAL ID：201803002899438440

大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶膜

Inventor： 坂本 謙二 ,  ブルガレビッチ キリル
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013094386
Publication number (International publication number)：2014216568
Patent number：6229924
Application date： Apr. 26, 2013
Publication date： Nov. 17, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】平面視線状である種結晶部と、前記種結晶部に接続された結晶成長部と、を有する結晶成長用基板を用い、前記種結晶部の一端側から他端側に有機半導体溶液を塗布しながら乾燥させて前記種結晶部で種結晶を作成してから、前記結晶成長部で前記種結晶を成長させて、大面積ドメイン有機半導体結晶膜を作成することを特徴とする大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法。

IPC (5)：

H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  C30B 29/54 ( 200 6.01) ,  C30B 7/02 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 29/28 310 J ,  C30B 29/54 ,  C30B 7/02 ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/368 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-336709   Applicant：株式会社日立製作所
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-121540   Applicant：株式会社日立製作所