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J-GLOBAL ID：200903084242480206

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
藤森 正成

About 藤森 正成

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橋詰 富博

About 橋詰 富博

, 
安藤 正彦

About 安藤 正彦


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006121540
Publication number (International publication number)：2007294704
Application date： Apr. 26, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：
【課題】 従来の有機TFTに比べチャネルを伝導するキャリアの移動度が大きな値を持つTFTの製造方法を提供すること。【解決手段】 基板上にパターニングしたゲート電極が設けられ、前記基板上および前記ゲート電極上にゲート絶縁膜が設けられ、 前記ゲート絶縁膜上にソース電極およびドレイン電極が離間して設けられ、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にはチャネルとなるべき領域が設けられ、 その領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれか一方との境界線は直線状であり、 前記その領域と、前記ドレイン電極又は前記ソース電極のいずれか一方との境界線は非直線状であり、かつ、その境界線は連続的又は不連続的な形状であって、かつ、その境界部分は複数個の凹部を有し、 前記その領域表面は親水性を有し、前記その領域の周囲領域は撥水性を有する部材を準備し、 前記その領域に有機分子を含有した溶液を供給し、前記溶液を乾燥することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上にパターニングしたゲート電極が設けられ、前記基板上および前記ゲート電極上にゲート絶縁膜が設けられ、 前記ゲート絶縁膜上にソース電極およびドレイン電極が離間して設けられ、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にはチャネルとなるべき領域を有し、 その領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれか一方との第1の境界線は直線状であり、 前記その領域と、前記ドレイン電極又は前記ソース電極のいずれか一方との第2の境界線は非直線状であり、かつ、前記第2の境界線は連続的又は不連続的であって、かつ、その境界部分は複数個の凹部を有し、 前記その領域表面は他の領域よりも高い親水性を有し、前記その領域の周囲領域は前記その領域よりも高い撥水性を有する部材を準備し、 前記その領域に半導体有機分子を含有した溶液を供給し、前記溶液を乾燥することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (7)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336
FI (8)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 618A
F-Term (26)：
4M104AA09 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104FF11 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE24 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK42 ,  5F110HM04 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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