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J-GLOBAL ID：201803003118266271

イオンプレーティング用ターゲット材料および該イオンプレーティング用ターゲット材料の製造方法

Inventor： 成田 宏一 ,  三浦 健一 ,  園村 浩介 ,  小畠 淳平 ,  垣辻 篤 ,  渡辺 義人 ,  山東 悠介
Applicant, Patent owner： 日研ツール株式会社 ,  地方独立行政法人大阪府立産業技術総合研究所
Agent (3)： 藤本 昇 ,  中谷 寛昭 ,  日東 伸二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016205107
Publication number (International publication number)：2018066039
Application date： Oct. 19, 2016
Publication date： Apr. 26, 2018
Summary：

【課題】体積抵抗率が比較的小さく、かつ熱衝撃に対して十分な耐性を有するイオンプレーティング用ターゲット材料の提供。【解決手段】ホウ素粉末と繊維状カーボン材料とを含み、前記ホウ素粉末と前記繊維状カーボン材料とは、前記ホウ素粉末中のホウ素原子と前記繊維状カーボン材料中の炭素原子との原子比が4:1〜6:1となるように含まれており、見掛け密度が1.34g/cm3〜1.67g/cm3であるイオンプレーティング用ターゲット材料。前記ホウ素粉末と前記繊維状カーボン材料とを、前記の原子比となる様に混合して混合物を調製する混合物調製工程と、前記混合物を加圧しつつ、1000°C〜1300°Cの温度で焼結させる焼結工程と、を備える、イオンプレーティング用ターゲット材料の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ホウ素粉末と繊維状カーボン材料とを含み、 前記ホウ素粉末と前記繊維状カーボン材料とは、前記ホウ素粉末中のホウ素原子と前記繊維状カーボン材料中の炭素原子との原子比が4:1〜6:1となるように含まれており、 見掛け密度が1.34g/cm3〜1.67g/cm3である、 イオンプレーティング用ターゲット材料。

IPC (1)：

C23C 14/32

FI (1)：

C23C14/32 A

F-Term (3)：

4K029BA59 ,  4K029CA04 ,  4K029DD06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-094404
  
• 特開平4-057604
  
• 炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-239028   Applicant：学校法人同志社