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J-GLOBAL ID：201803006795832614

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 渡部 平司 ,  山田 高寛 ,  野▲崎▼ 幹人 ,  細井 卓治 ,  志村 考功
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 前井 宏之
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2016075465
Publication number (International publication number)：WO2018042541
Application date： Aug. 31, 2016
Publication date： Mar. 08, 2018
Summary：

半導体装置(100)は、下地層(10)と、界面層(20)と、堆積層(30)とを備える。下地層(10)は、ガリウムを有する窒化物半導体を含む。界面層(20)は、下地層(10)に隣接する。界面層(20)は、酸化ガリウムを含む。堆積層(30)は、界面層(20)に隣接する。堆積層(30)は、界面層(20)よりもバンドギャップが大きい。界面層(20)は結晶性を有することが好ましい。界面層(20)はα相Ga2O3を有することが好ましい。

Claim (excerpt)：

ガリウムを有する窒化物半導体を含む下地層と、 前記下地層に隣接し、酸化ガリウムを含む界面層と、 前記界面層に隣接し、前記界面層よりもバンドギャップが大きい堆積層と を備える、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28

FI (6)：

H01L29/78 652K ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 A

F-Term (17)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE20 ,  4M104FF02 ,  4M104GG01 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF62 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01