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J-GLOBAL ID：201803007068164710

熱デバイス

Inventor： 河野 行雄 ,  藤田 武志 ,  陳 明偉 ,  伊藤 良一
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学 ,  国立大学法人東北大学
Agent (2)： 古谷 史旺 ,  森 俊秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016172073
Publication number (International publication number)：2018037617
Application date： Sep. 02, 2016
Publication date： Mar. 08, 2018
Summary：

【課題】 THz帯の電磁波に対する感度、または熱を熱起電力に変換する効率の向上の少なくとも1つを達成することができる熱デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】 3次元多孔質グラフェンと、3次元多孔質グラフェン上に対向して配置される一組の電極とを備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

3次元多孔質グラフェンと、 前記3次元多孔質グラフェン上に対向して配置される一組の電極と を備えることを特徴とする熱デバイス。

IPC (6)：

H01L 35/22 ,  H01L 37/00 ,  H01L 51/00 ,  H01L 51/30 ,  G01J 1/02 ,  H01L 35/32

FI (6)：

H01L35/22 ,  H01L37/00 ,  H01L29/28 100Z ,  H01L29/28 250E ,  G01J1/02 C ,  H01L35/32 A

F-Term (3)：

2G065AA04 ,  2G065AB03 ,  2G065BA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 熱電素子及びそれを用いた熱電素子モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-111557   Applicant：シャープ株式会社
• 熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-206360   Applicant：富士フイルム株式会社
• センサ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-163637   Applicant：日本電信電話株式会社