センサ素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013163637
Publication number (International publication number)：2015031666
Application date： Aug. 06, 2013
Publication date： Feb. 16, 2015
Summary：

【課題】グラフェンによる電界効果型トランジスタ素子を作製し、そのセンサ環境を制御することにより、様々な物理量が計測可能である。【解決手段】基板上に絶縁膜で覆われたゲート電極と、互いに対向させたソース電極およびドレイン電極とを積層して形成した電極基板の表面にグラフェン膜を積層したことを特徴とするセンサ素子。前記センサ素子を完全遮光した気密容器内で不活性ガス雰囲気にて封止したことを特徴とする温度測定センサ素子。前記温度測定センサ素子と、該素子に隣接した、前記センサ素子を被測定光波長に対して透明な気密容器内で不活性ガス環境にて封止したセンサ素子と備えることを特徴とする光センサ素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁膜で覆われたゲート電極と、互いに対向させたソース電極およびドレイン電極とを積層して形成した電極基板の表面にグラフェン膜を積層したことを特徴とするセンサ素子。

IPC (7)：

G01J 1/02 , H01L 29/06 , H01L 29/786 , C01B 31/02 , B82Y 15/00 , G01J 5/02 , H01L 31/10

FI (9)：

G01J1/02 R , H01L29/06 601N , H01L29/78 613Z , H01L29/78 618B , C01B31/02 101Z , B82Y15/00 , G01J5/02 J , G01J1/02 B , H01L31/10 E

F-Term (53)：

2G065AA04 , 2G065AB02 , 2G065AB04 , 2G065BA02 , 2G065BA40 , 2G065BB21 , 2G065DA20 , 2G066AC20 , 2G066BA11 , 2G066BA51 , 2G066BA55 , 4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AD22 , 4G146AD28 , 5F049MA14 , 5F049MB03 , 5F049NB07 , 5F049PA20 , 5F049SE06 , 5F049SS03 , 5F110BB09 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK17 , 5F110QQ14 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭58-166226
炭素微粒子構造体とその製造方法、およびこれを製造するための炭素微粒子転写体と炭素微粒子構造体製造用溶液、並びに炭素微粒子構造体を用いた炭素微粒子構造体電子素子とその製造方法、そして集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-188823 Applicant：富士ゼロックス株式会社
単一またはいくつかの層のグラフェン・ベースの光検出デバイスおよびその形成方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2012-526004 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Effect of Temperature and Humidity on NO2 and NH3 Gas Sensitivity of Bottom-Gate Graphene FETs Prepa

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