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J-GLOBAL ID：201803009070765333

熱電素子材料とその製造方法

Inventor： 岩佐 義宏 ,  ビスリ サトリア ズルカルナエン ,  清水 直
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人理化学研究所
Agent (2)： 堀田 実 ,  野村 俊博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016137453
Publication number (International publication number)：2018010917
Application date： Jul. 12, 2016
Publication date： Jan. 18, 2018
Summary：

【課題】量子ドットを用いた熱電素子材料において、従来よりも高いパワーファクターが得られるようにする。【解決手段】熱電素子に用いられる熱電素子材料10は、多数の量子ドット7から構成された量子ドット部3を備える。量子ドット部3には、電流の担い手となるキャリア11が存在している。多数の量子ドット7のうち隣接する量子ドット7同士は、互いに分離しているが、キャリア11が量子ドット7間で移動できる程度に近接している。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

熱電素子に用いられる熱電素子材料であって、 多数の量子ドットから構成された量子ドット部を備え、 前記量子ドット部には、電流の担い手となるキャリアが存在しており、 前記多数の量子ドットのうち隣接する量子ドット同士は、互いに分離しているが、前記キャリアが前記量子ドット間で移動できる程度に近接している、熱電素子材料。

IPC (2)：

H01L 35/26 ,  H01L 35/16

FI (2)：

H01L35/26 ,  H01L35/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ナノコンポジット熱電変換材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-188477   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 株式会社アドマテックス
• 半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-205194   Applicant：富士フイルム株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• Energy Level Modification in Lead Sulfide Quantum Dot Thin Films through Ligand Exchange
• Low Driving Voltage and High Mobility Ambipolar Field-Effect Transistors with PbS Colloidal Nanocrys
• Thermoelectric Properties of Colloidal Quantum Dot Solids
• Very High Seebeck Coefficient in Ultra-Thin-Film of Colloidal Quantum Dot Solids