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J-GLOBAL ID：201503057151327464

半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ

Inventor：
小野 雅司

About 小野 雅司

, 
田中 淳

About 田中 淳

, 
鈴木 真之

About 鈴木 真之


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (3)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013205194
Publication number (International publication number)：2015070204
Application date： Sep. 30, 2013
Publication date： Apr. 13, 2015
Summary：
【課題】大気中でも製造可能で且つ高い電気伝導性が得られる半導体膜の提供。【解決手段】In、Zn、Snから選択される少なくとも一種の金属を含む酸化物微粒子の集合体と、酸化物微粒子に配位し、一般式(A)で表される配位子、一般式(B)で表される配位子および一般式(C)で表される配位子から選択される少なくとも一種の配位子と、を有する半導体膜。 〔一般式(A)中、X1、X2は-SH、-NH2、-OH、-COOHを表し、A1、B1は水素原子、原子数1以上10以下の置換基を表す。一般式(B)中、X3、X4は-SH、-NH2、-OH、-COOHを表し、A2、B2は水素原子、原子数1以上10以下の置換基を表す。一般式(C)中、X5は-SH、-NH2、-OHを表し、A3は、水素原子、原子数1以上10以下の置換基を表す。〕【選択図】なし
Claim (excerpt)：
In、ZnおよびSnから選択される少なくとも一種の金属を含む酸化物微粒子の集合体と、 前記酸化物微粒子に配位し、下記一般式(A)で表される配位子、下記一般式(B)で表される配位子、および下記一般式(C)で表される配位子から選択される少なくとも一種の配位子と、 を有する半導体膜。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
F-Term (46)：
5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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