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J-GLOBAL ID：201803009673511263

グラフェンベースの層転写のためのシステム及び方法

Inventor：
キム ジーファン

About キム ジーファン


Applicant, Patent owner：
マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー

About マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー


Agent (10)： 廣田 雅紀 ,  小澤 誠次 ,  東海 裕作 ,  松田 一弘 ,  堀内 真 ,  山内 正子 ,  園元 修一 ,  山村 昭裕 ,  森川 聡 ,  富田 博行
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2018512205
Publication number (International publication number)：2018535536
Application date： Sep. 08, 2016
Publication date： Nov. 29, 2018
Summary：
グラフェンベースの層転写(GBLT)技法が開示される。この手法では、III-V半導体、Si、Ge、III-N半導体、SiC、SiGe、またはII-VI半導体を含むデバイス層がグラフェン層上に作製され、それが次に基板上に配置される。グラフェン層または基板は、デバイス層と格子整合して、デバイス層における欠陥を低減させることができる。作製されたデバイス層は、次いで、例えばデバイス層に付着させたストレッサを介して基板から取り出される。GBLTでは、グラフェン層は、デバイス層を成長させるための再利用可能で普遍的なプラットフォームとしての機能を果たし、また、グラフェン表面での高速で正確な、かつ繰り返し可能な剥離を可能にする剥離層としての機能も果たす。【選択図】図1D
Claim (excerpt)：
第1の基板上にグラフェン層を形成すること; 前記グラフェン層を前記第1の基板から第2の基板に転写すること;及び 前記グラフェン層上に単結晶膜を形成すること を含む、半導体デバイスの製造方法。
IPC (11)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/02 ,  C30B 25/18 ,  C01B 32/186 ,  C01B 32/194 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02
FI (11)：
H01L21/20 ,  C30B29/02 ,  C30B25/18 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C23C14/14 D ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/02 B
F-Term (98)：
4G077AA03 ,  4G077BA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BA05 ,  4G077BE05 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077BE31 ,  4G077BE41 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01A ,  4G146AD03 ,  4G146AD06 ,  4G146AD30 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146CB01 ,  4G146CB19 ,  4G146CB29 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA12 ,  4K029CA01 ,  4K029EA03 ,  4K029GA05 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA09 ,  4K030BA10 ,  4K030BA11 ,  4K030BA12 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030BA50 ,  4K030BA51 ,  4K030BA54 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BA61 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG41 ,  5F110QQ16 ,  5F152LL05 ,  5F152LP01 ,  5F152LP09 ,  5F152MM05 ,  5F152MM08 ,  5F152MM10 ,  5F152MM11 ,  5F152NN05 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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