窒化物半導体基板の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013121751
Publication number (International publication number)：2014237570
Application date： Jun. 10, 2013
Publication date： Dec. 18, 2014
Summary：

【課題】下地の基板からの剥離を容易に行うことができ、製造コストを抑制することが可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】選択横方向成長(ELO法)を用いた厚膜成長による窒化物半導体基板の製造方法であって、基板1あるいは窒化物半導体層2表面に層状物質3を少なくとも2原子層堆積する工程と、層状物質3の面積と1または複数の開口部の面積の和との差が、1または複数の開口部の面積の和よりも大きくなるように層状物質3に1または複数の開口部を作製し、前記1または複数の開口部から基板1あるいは窒化物半導体層2を露出させる工程と、露出した基板1あるいは窒化物半導体層2から横方向選択再成長させて層状物質3上に窒化物半導体層2を形成する工程と、層状物質3に層状物質3の積層方向と垂直な方向に力を加えることによって、層状物質3を劈開する工程を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板あるいは窒化物半導体層表面に層状物質を少なくとも2原子層堆積する工程と、前記層状物質に1または複数の開口部を作製して前記1または複数の開口部から前記基板あるいは前記窒化物半導体層を露出させる工程であって、前記層状物質の面積と前記1または複数の開口部の面積の和との差が、前記1または複数の開口部の面積の和よりも大きい、工程と、前記露出した前記基板あるいは前記窒化物半導体層から横方向選択再成長するように前記窒化物半導体層の結晶成長を行い、前記層状物質上に前記窒化物半導体層を形成する工程と、前記層状物質に前記層状物質の積層方向と垂直な方向に力を加えることによって、前記層状物質を劈開する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/38 , H01L 29/20 , H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/01 , C30B 23/04

FI (6)：

C30B29/38 D , H01L29/20 , H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/01 , C30B23/04

F-Term (27)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EE07 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TB04 , 4G077TC16 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA08 , 4K030BA27 , 4K030BA38 , 4K030BA39 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F045AA01 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

機能性膜含有構造体、及び、機能性膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-166407 Applicant：富士フイルムホールディングス株式会社
3-5族窒化物半導体積層基板、3-5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-256022 Applicant：住友化学株式会社, 国立大学法人三重大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-Based devices

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