窒化物半導体層の剥離方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：磯野道造 , 伊藤政幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009148455
Publication number (International publication number)：2011009268
Application date： Jun. 23, 2009
Publication date： Jan. 13, 2011
Summary：

【課題】第1基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。【解決手段】SiC基板101の表面で単層又は複数層のグラフェン層111が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層114が形成される工程と、窒化物半導体層114とグラフェン層111aとの間、あるいはグラフェン層相互間111a,111b,111cのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がSiC基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第2基板130の表面に接合される。【選択図】図19

Claim (excerpt)：

第1基板の表面で単層又は複数層のグラフェン層が成長する工程と、前記グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層が形成される工程と、前記窒化物半導体層と前記グラフェン層との間、あるいは前記グラフェン層相互間のポテンシャルによる接合力以上の力で、前記窒化物半導体層が前記第1基板から剥離される工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体層の剥離方法。

IPC (9)：

H01L 21/20 , H01L 33/32 , H01L 31/10 , H01S 5/343 , H01L 21/205 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 21/02

FI (7)：

H01L21/20 , H01L33/00 186 , H01L31/10 A , H01S5/343 610 , H01L21/205 , H01L29/80 H , H01L21/02 B

F-Term (69)：

5F041AA31 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F049MA04 , 5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049NA20 , 5F049PA03 , 5F049PA04 , 5F049PA11 , 5F049PA14 , 5F049PA20 , 5F049QA20 , 5F049SS03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152LP01 , 5F152LP09 , 5F152MM05 , 5F152MM10 , 5F152MM12 , 5F152MM16 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ09 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AH49 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP61 , 5F173AQ02 , 5F173AQ03 , 5F173AR99

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-043456 Applicant：ソニー株式会社
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