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J-GLOBAL ID：201803010910162501

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 田中 幸一 ,  中村 修 ,  両澤 克彦
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Agent (1)： 特許業務法人 小笠原特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013260343
Publication number (International publication number)：2015118994
Patent number：6264015
Application date： Dec. 17, 2013
Publication date： Jun. 25, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁体と、チャンネル層を構成するIn-Ga-Zn-O系の半導体層と、当該半導体層を被覆する保護層とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、 前記保護層の上部に、絶縁性のPmを除く希土類水素化物を含む絶縁層が設けられていることを特徴とする、薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 21/316 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-112133   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 半導体装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-210343   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (2)

• ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-112133   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 半導体装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-210343   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所