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J-GLOBAL ID：201103090161922105

半導体装置及びその作製方法

Inventor：
秋元 健吾

About 秋元 健吾


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010210343
Publication number (International publication number)：2011097032
Application date： Sep. 21, 2010
Publication date： May. 12, 2011
Summary：
【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
絶縁表面上において、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、 前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記酸化物半導体膜と接する酸化物絶縁膜を形成し、 前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜と重なる位置において、前記酸化物絶縁膜上にバックゲート電極を形成し、 前記バックゲート電極が露出した状態で加熱処理を行い、 前記加熱処理を行った後、前記バックゲート電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
IPC (7)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/08 ,  G09F 9/30
FI (10)：
H01L29/78 627F ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/08 ,  G09F9/30 338
F-Term (127)：
2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA35 ,  2H092JA37 ,  2H092JA39 ,  2H092JA40 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA02 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA26 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092QA07 ,  2H092RA10 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107EE04 ,  3K107FF16 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF08 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5C094AA23 ,  5C094AA31 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094EA10 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5C094JA20 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02
Patent cited by the Patent：
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