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J-GLOBAL ID：201103080702749368

ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子

Inventor： 澤 彰仁 ,  浅沼 周太郎 ,  井上 公 ,  佐藤 弘 ,  赤穗 博司 ,  山田 浩之 ,  岩佐 義宏
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (3)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  加藤 恭介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010112133
Publication number (International publication number)：2011243632
Application date： May. 14, 2010
Publication date： Dec. 01, 2011
Summary：

【課題】電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。【解決手段】ペロブスカイト構造を有し且つ化学式がA1-xBxNiO3(但し、Aは希土類元素から選択された1種類の元素であり、BとしてA以外の少なくとも1種類の希土類元素であって、xは0≦x≦1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層に用いる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト構造を有し、化学式がA1-xBxNiO3(但し、Aは希土類元素から選択された1種類の元素であり、BとしてA以外の少なくとも1種類の希土類元素であって、xは0≦x≦1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層に用いる、 ことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/10 ,  C01G 53/00

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/78 613B ,  C01G53/00 A

F-Term (31)：

4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD07 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F110AA01 ,  5F110BB08 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-230168   Applicant：シャープ株式会社
• 圧電/電歪体素子構造体及び圧電/電歪体素子構造体の製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-252375   Applicant：キヤノン株式会社
• 2重層ペロブスカイト酸化物電極を有する電界効果トランジスタ構造及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-110272   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• スイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-284927   Applicant：株式会社東芝
• 埋込みモット材料酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタを製作する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-065312   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-259644   Applicant：財団法人電力中央研究所

Cited by examiner (6)

• 半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-230168   Applicant：シャープ株式会社
• 圧電/電歪体素子構造体及び圧電/電歪体素子構造体の製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-252375   Applicant：キヤノン株式会社
• 2重層ペロブスカイト酸化物電極を有する電界効果トランジスタ構造及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-110272   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• スイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-284927   Applicant：株式会社東芝
• 埋込みモット材料酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタを製作する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-065312   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-259644   Applicant：財団法人電力中央研究所

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• p-type field-effect transistor of NiO with electric double-layer gating
• SmxNd1-xNiO3 thin-film solid solutions with tunable metal--insulator transition synthesized by alter

Cited by examiner (2)

• p-type field-effect transistor of NiO with electric double-layer gating
• SmxNd1-xNiO3 thin-film solid solutions with tunable metal--insulator transition synthesized by alter