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J-GLOBAL ID：201803012950127779

レーザドーピング装置及びレーザドーピング方法

Inventor： 大久保 智幸 ,  池上 浩 ,  池田 晃裕 ,  浅野 種正 ,  若林 理
Applicant, Patent owner： 国立大学法人九州大学 ,  ギガフォトン株式会社
Agent (1)： 保坂 延寿
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2015058709
Publication number (International publication number)：WO2016151723
Application date： Mar. 23, 2015
Publication date： Sep. 29, 2016
Summary：

このレーザドーピング装置は、半導体材料の所定領域にパルスレーザ光を照射してドーピングを行うレーザドーピング装置において、所定領域に、ドーパントを含む溶液を供給する溶液供給システムと、ドーパントを含む溶液を透過するパルスレーザ光を出力する少なくとも1つのレーザ装置と、パルスレーザ光のパルス時間波形を調節するパルス時間波形調節装置と、を含むレーザシステムと、を備えてもよい。

Claim (excerpt)：

半導体材料の所定領域にパルスレーザ光を照射してドーピングを行うレーザドーピング装置において、 前記所定領域に、ドーパントを含む溶液を供給する溶液供給システムと、 前記ドーパントを含む溶液を透過するパルスレーザ光を出力する少なくとも1つのレーザ装置と、前記パルスレーザ光のパルス時間波形を調節するパルス時間波形調節装置と、を含むレーザシステムと、 を備えるレーザドーピング装置。

IPC (3)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/268

FI (4)：

H01L21/22 E ,  H01L21/225 R ,  H01L21/268 J ,  H01L21/268 T