グラフェントランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人深見特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016141610
Publication number (International publication number)：2018014360
Application date： Jul. 19, 2016
Publication date： Jan. 25, 2018
Summary：

【課題】グラフェン膜とグラフェン膜の一部上に配置されたオーミック電極との接触抵抗が低いグラフェントランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】グラフェントランジスタ1は、支持基板11と、支持基板11上に配置されたグラフェン膜13と、グラフェン膜13の一部上に配置されたオーミック電極14と、を含み、グラフェン膜13は、オーミック電極14の直下領域に凹凸面部13wを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持基板と、前記支持基板上に配置されたグラフェン膜と、前記グラフェン膜の一部上に配置されたオーミック電極と、を含み、前記グラフェン膜は、前記オーミック電極の直下領域に凹凸面部を有するグラフェントランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 29/06 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (9)：

H01L29/78 616T , H01L29/06 601N , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 627D , H01L21/28 301B , H01L29/50 M

F-Term (43)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD24 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104HH15 , 5F110AA03 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG41 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM02 , 5F110HM19 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-015081 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-181575 Applicant：住友電気工業株式会社, 国立大学法人東北大学
電子装置及び電子装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-002400 Applicant：富士通株式会社

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