半導体装置とその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009220543
Publication number (International publication number)：2011071281
Application date： Sep. 25, 2009
Publication date： Apr. 07, 2011
Summary：

【課題】電極と半導体基板の間の順方向特性を改善する技術を提供する。【解決手段】半導体装置100は、表面の少なくとも一部に複数の突出部6aが形成されている突出部領域6を有する半導体基板14と、複数の突出部6aの側面6dに形成されている電流方向異方性材料4と、突出部領域6上に形成されている電極2を備える。電流方向異方性材料4は平面方向のキャリア移動度が高いので、電極2と半導体基板14の間の順方向特性を改善することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面の少なくとも一部に複数の突出部が形成されている突出部領域を有する半導体基板と、前記複数の突出部の側面に形成されている電流方向異方性材料と、前記突出部領域上に形成されている電極と、を備える半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861 , H01L 21/28

FI (5)：

H01L29/48 F , H01L29/91 C , H01L29/48 D , H01L21/28 A , H01L29/91 K

F-Term (16)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD23 , 4M104DD24 , 4M104FF31 , 4M104FF32 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-078634 Applicant：三菱電機株式会社
ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-125593 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-041564 Applicant：三菱電機株式会社

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